等離子體增強原子層沉積系統一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件的工具。

原子層沉積系統1.ALD （傳統的熱原子層沉積）； 2.PEALD （等離子增強原子層沉積）； 3.Powder ALD （粉末樣品的原子層沉積）；

原子層沉積是在一個加熱反應器中的襯底上連續引入至少兩種前驅體物種，化學吸附的過程直至表面飽和時就自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件的工具。